maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C62P-M-18
Référence fabricant | BZD27C62P-M-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C62P-M-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C62P-M-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 62V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 47V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C62P-M-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C62P-M-18-FT |
BZD27C4V7P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2PQ208C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQ208M
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
5SGXEB6R3F43C2N
Intel
5SGXMB5R2F43C3N
Intel
5SGXEA5K2F35C2N
Intel
5SGXEA7H2F35C2L
Intel
XC7A35T-1CSG324I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CSG281I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-2FG484I
Lattice Semiconductor Corporation