maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C4V7P-HE3-18
Référence fabricant | BZD27C4V7P-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C4V7P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C4V7P-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C4V7P-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C4V7P-HE3-18-FT |
BZD27C13P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256HC-5SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F672I4
Intel
EP3C25U256C6
Intel
5SGSMD8K3F40I3
Intel
5SGSMD5H2F35I2N
Intel
EP2SGX60EF1152C3
Intel
XC5VLX110-1FF1760C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C4N
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel