maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C51P-HE3-18
Référence fabricant | BZD27C51P-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C51P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C51P-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 51V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 39V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C51P-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C51P-HE3-18-FT |
BZD27C150P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C160P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C160P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C160P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C160P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C16P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A35T-1FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
EP4S100G5H40I2
Intel
AGL1000V2-FG144
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D4F31I5N
Intel