maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C160P-M3-08
Référence fabricant | BZD27C160P-M3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C160P-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M |
BZD27C160P-M3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 160V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 350 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 120V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C160P-M3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C160P-M3-08-FT |
BZD27B68P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B68P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B68P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B68P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B68P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B6V2P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B6V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B6V2P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B6V2P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B6V2P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC7A12T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA676I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000L-1FGG484M
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1N
Intel
EP20K100EFC144-2N
Intel
5SGXEB5R2F43I3L
Intel
EP4SE360F35C2N
Intel
XC4VLX40-10FFG1148I
Xilinx Inc.