maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C6V8P-M-08
Référence fabricant | BZD27C6V8P-M-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C6V8P-M-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C6V8P-M-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 3 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 3V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C6V8P-M-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C6V8P-M-08-FT |
BZD27C4V7P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel