maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VUO50-08NO3
Référence fabricant | VUO50-08NO3 |
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Numéro de pièce future | FT-VUO50-08NO3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VUO50-08NO3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Three Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 58A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.9V @ 150A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | FO-F-B |
Package d'appareils du fournisseur | FO-F-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO50-08NO3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VUO50-08NO3-FT |
VBE26-12NO7
IXYS
VBE55-12NO7
IXYS
VBO105-08NO7
IXYS
VBO105-12NO7
IXYS
VBO105-16NO7
IXYS
VBO125-08NO7
IXYS
VBO125-12NO7
IXYS
VBO125-16NO7
IXYS
VBO130-08NO7
IXYS
VBO130-12NO7
IXYS
AT6005A-2AI
Microchip Technology
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
EP1SGX25CF672I6N
Intel
10CL016ZF484I8G
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5SGSMD4E3H29I4N
Intel
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Intel
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29I8L
Intel