maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VUO30-12NO3
Référence fabricant | VUO30-12NO3 |
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Numéro de pièce future | FT-VUO30-12NO3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VUO30-12NO3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Three Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 37A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.55V @ 150A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 1200V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | FO-F-B |
Package d'appareils du fournisseur | FO-F-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO30-12NO3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VUO30-12NO3-FT |
UGB6124AG
IXYS
UGD6123AG
IXYS
UGD8124AG
IXYS
VBE100-06NO7
IXYS
VBE100-12NO7
IXYS
VBE17-06NO7
IXYS
VBE20-20NO1
IXYS
VBE26-06NO7
IXYS
VBE26-12NO7
IXYS
VBE55-12NO7
IXYS
AT6005A-2AI
Microchip Technology
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
EP1SGX25CF672I6N
Intel
10CL016ZF484I8G
Intel
5SGSMD4E3H29I4N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29I8L
Intel