maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VUO25-18NO8
Référence fabricant | VUO25-18NO8 |
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Numéro de pièce future | FT-VUO25-18NO8 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VUO25-18NO8 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Three Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.8kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.2V @ 150A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 1400V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | QC Terminal |
Paquet / caisse | 5-Square, FO-B |
Package d'appareils du fournisseur | PWS-E1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO25-18NO8 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VUO25-18NO8-FT |
GBJ1506-BP
Micro Commercial Co
GBJ3504-BP
Micro Commercial Co
GBJ1001-BP
Micro Commercial Co
GBJ35005-BP
Micro Commercial Co
GBJ1008-BP
Micro Commercial Co
GBJ2010-BP
Micro Commercial Co
GBJ10005-BP
Micro Commercial Co
GBJ2006-BP
Micro Commercial Co
GBJ2504-BP
Micro Commercial Co
GBJ15005-BP
Micro Commercial Co
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel