maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ2010-BP
Référence fabricant | GBJ2010-BP |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ2010-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ2010-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 10A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2010-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ2010-BP-FT |
MB86-BP
Micro Commercial Co
MB88
Micro Commercial Co
MD50S16M4-BP
Micro Commercial Co
MD100S16M4-BP
Micro Commercial Co
MD75S16M4-BP
Micro Commercial Co
MD100S16M2-BP
Micro Commercial Co
MD75S16M2-BP
Micro Commercial Co
MD250S16M3-BP
Micro Commercial Co
MD130S16M3-BP
Micro Commercial Co
MD160S16M3-BP
Micro Commercial Co
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2C35U484C7
Intel
EP4CE15F23C9L
Intel
EP3C16E144I7
Intel
A1010B-PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1020C5N
Intel