maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ1008-BP
Référence fabricant | GBJ1008-BP |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ1008-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ1008-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1008-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ1008-BP-FT |
MB86
Micro Commercial Co
MB86-BP
Micro Commercial Co
MB88
Micro Commercial Co
MD50S16M4-BP
Micro Commercial Co
MD100S16M4-BP
Micro Commercial Co
MD75S16M4-BP
Micro Commercial Co
MD100S16M2-BP
Micro Commercial Co
MD75S16M2-BP
Micro Commercial Co
MD250S16M3-BP
Micro Commercial Co
MD130S16M3-BP
Micro Commercial Co
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel