maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VUO25-12NO8
Référence fabricant | VUO25-12NO8 |
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Numéro de pièce future | FT-VUO25-12NO8 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VUO25-12NO8 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Three Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.2V @ 150A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 1200V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | QC Terminal |
Paquet / caisse | 5-Square, FO-B |
Package d'appareils du fournisseur | PWS-E1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO25-12NO8 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VUO25-12NO8-FT |
GBJ2506-BP
Micro Commercial Co
GBJ1004-BP
Micro Commercial Co
GBJ3508-BP
Micro Commercial Co
GBJ1508-BP
Micro Commercial Co
GBJ1506-BP
Micro Commercial Co
GBJ3504-BP
Micro Commercial Co
GBJ1001-BP
Micro Commercial Co
GBJ35005-BP
Micro Commercial Co
GBJ1008-BP
Micro Commercial Co
GBJ2010-BP
Micro Commercial Co
XC3S1200E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2A15F672I8
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel