maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VUO160-14NO7
Référence fabricant | VUO160-14NO7 |
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Numéro de pièce future | FT-VUO160-14NO7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VUO160-14NO7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Three Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.4kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 175A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 60A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 1400V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | PWS-E1 |
Package d'appareils du fournisseur | PWS-E1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO160-14NO7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VUO160-14NO7-FT |
APTDR40X1601G
Microsemi Corporation
DDB6U104N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
FBS10-06SC
IXYS
GBO25-12NO1
IXYS
GBO25-16NO1
IXYS
GUO40-16NO1
IXYS
UGB3132AD
IXYS
UGB6124AG
IXYS
UGD6123AG
IXYS
UGD8124AG
IXYS
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel