maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBO25-16NO1
Référence fabricant | GBO25-16NO1 |
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Numéro de pièce future | FT-GBO25-16NO1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBO25-16NO1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.6kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 12.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 1600V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBO |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBO25-16NO1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBO25-16NO1-FT |
CBR1F-020
Central Semiconductor Corp
CBR1F-100
Central Semiconductor Corp
CBR1-D060S TR13
Central Semiconductor Corp
CDTO269-BR1190L
Bourns Inc.
CDTO269-BR1380L
Bourns Inc.
CDNBS04-B08400
Bourns Inc.
CDNBS04-B08600
Bourns Inc.
CDNBS04-B08800
Bourns Inc.
CD-MBL106S
Bourns Inc.
CD-DF410S
Bourns Inc.
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
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EP4SGX180DF29C2X
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