maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBO25-12NO1
Référence fabricant | GBO25-12NO1 |
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Numéro de pièce future | FT-GBO25-12NO1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBO25-12NO1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 12.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 1200V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBO |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBO25-12NO1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBO25-12NO1-FT |
CBR1F-040
Central Semiconductor Corp
CBR1F-020
Central Semiconductor Corp
CBR1F-100
Central Semiconductor Corp
CBR1-D060S TR13
Central Semiconductor Corp
CDTO269-BR1190L
Bourns Inc.
CDTO269-BR1380L
Bourns Inc.
CDNBS04-B08400
Bourns Inc.
CDNBS04-B08600
Bourns Inc.
CDNBS04-B08800
Bourns Inc.
CD-MBL106S
Bourns Inc.
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG144I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K2F40C2N
Intel
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
5SGXEA7N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC5VSX50T-2FF665I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQ100I
Microsemi Corporation
LFE2-35SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation