maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VUB160-16NOX
Référence fabricant | VUB160-16NOX |
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Numéro de pièce future | FT-VUB160-16NOX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VUB160-16NOX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Three Phase (Braking) |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.6kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 180A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.7V @ 30A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1600V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | V2-PAK |
Package d'appareils du fournisseur | V2-PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUB160-16NOX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VUB160-16NOX-FT |
MSDM150-16
Microsemi Corporation
MSDM150-18
Microsemi Corporation
MSDM200-08
Microsemi Corporation
MSDM200-12
Microsemi Corporation
MSDM200-18
Microsemi Corporation
MSDM50-08
Microsemi Corporation
MSDM50-12
Microsemi Corporation
MSDM50-16
Microsemi Corporation
MSDM50-18
Microsemi Corporation
MSDM75-08
Microsemi Corporation
XC6SLX9-N3FT256I
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XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
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LCMXO2280E-4FTN256I
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EP3C25U256I7N
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5SGXMBBR2H43C2N
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LFE3-70E-8FN1156I
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LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel