maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / MSDM50-12
Référence fabricant | MSDM50-12 |
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Numéro de pièce future | FT-MSDM50-12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSDM50-12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Three Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 50A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 150A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 1200V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | M2-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSDM50-12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSDM50-12-FT |
KBPM310G
GeneSiC Semiconductor
KBU1001G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1002G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1003G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1004G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1005G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1006G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1007G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU401G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU402G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
AX1000-1FG484
Microsemi Corporation
EP3C16U256I7
Intel
5SGXMA4K2F40C2N
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5SGXMA7N1F45I2N
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XC4VLX60-11FF1148C
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