maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / MSDM150-18
Référence fabricant | MSDM150-18 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MSDM150-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSDM150-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Three Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.8kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 150A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 1800V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | M3-1 |
Package d'appareils du fournisseur | M3-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSDM150-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSDM150-18-FT |
KBPM301G
GeneSiC Semiconductor
KBPM302G
GeneSiC Semiconductor
KBPM304G
GeneSiC Semiconductor
KBPM306G
GeneSiC Semiconductor
KBPM308G
GeneSiC Semiconductor
KBPM310G
GeneSiC Semiconductor
KBU1001G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1002G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1003G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1004G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel