maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VUB160-12NO2
Référence fabricant | VUB160-12NO2 |
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Numéro de pièce future | FT-VUB160-12NO2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VUB160-12NO2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Three Phase (Braking) |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 188A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.7V @ 30A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 1200V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | V2-PAK |
Package d'appareils du fournisseur | V2-PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUB160-12NO2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VUB160-12NO2-FT |
MSDM150-08
Microsemi Corporation
MSDM150-12
Microsemi Corporation
MSDM150-16
Microsemi Corporation
MSDM150-18
Microsemi Corporation
MSDM200-08
Microsemi Corporation
MSDM200-12
Microsemi Corporation
MSDM200-18
Microsemi Corporation
MSDM50-08
Microsemi Corporation
MSDM50-12
Microsemi Corporation
MSDM50-16
Microsemi Corporation
LFEC3E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU15P-L2FFVE1517E
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256
Microsemi Corporation
10M16DCF484A7G
Intel
5SGXMB5R3F40I3N
Intel
5SGTMC5K2F40I2N
Intel
5SEE9H40I2N
Intel
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP20K100EBC356-1
Intel