maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-VSKD196/08PBF
Référence fabricant | VS-VSKD196/08PBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-VSKD196/08PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-VSKD196/08PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 97.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20mA @ 800V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | INT-A-Pak |
Package d'appareils du fournisseur | INT-A-PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKD196/08PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-VSKD196/08PBF-FT |
MBRB2045CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2060CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2060CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2545CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2545CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
Xilinx Inc.
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP3C55F780I7N
Intel