maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRB2545CTHE3_A/I
Référence fabricant | MBRB2545CTHE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB2545CTHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB2545CTHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 12.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 820mV @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 45V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB2545CTHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB2545CTHE3_A/I-FT |
SBR30A100CTFP
Diodes Incorporated
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Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C2L
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5SGXEABN3F45C4N
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XC7K355T-1FF901C
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XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S40F780C7N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel