maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRB2060CTHE3_A/P
Référence fabricant | MBRB2060CTHE3_A/P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBRB2060CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB2060CTHE3_A/P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 60V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB2060CTHE3_A/P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB2060CTHE3_A/P-FT |
MBR10200CS2TR-G1
Diodes Incorporated
MBR30100CT-E1
Diodes Incorporated
MBR2045CTF-E1
Diodes Incorporated
SBR30A100CTFP
Diodes Incorporated
MBRB20150CT
Diodes Incorporated
MBR10100CDTR-E1
Diodes Incorporated
MBRB10200CT
Diodes Incorporated
MBR2045CTI
Diodes Incorporated
SBRB20100CTT4G
ON Semiconductor
MBR20H100CT-E1
Diodes Incorporated
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel