maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR10200CS2TR-G1
Référence fabricant | MBR10200CS2TR-G1 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR10200CS2TR-G1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR10200CS2TR-G1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10200CS2TR-G1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR10200CS2TR-G1-FT |
SBL3040CTP
Diodes Incorporated
SBL3045CTP
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M50100THC1600
Sensata-Crydom
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M50100THA1600
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F1892RD600
Sensata-Crydom
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A54SX32A-1PQG208I
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M2GL025T-1VF400
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5SGSMD6N2F45C2LN
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5SGXEA7H2F35C1
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LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
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