maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / M50100THA1600
Référence fabricant | M50100THA1600 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-M50100THA1600 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M50100THA1600 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 100A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M50100THA1600 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M50100THA1600-FT |
MBR60035CT
GeneSiC Semiconductor
MBR60035CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR60045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR60045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR60060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR60060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR60080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR60080CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30020CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR30020CTRL
GeneSiC Semiconductor
AT40K05-2BQI
Microchip Technology
LFEC6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
LFXP10E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C6
Intel
EP2SGX90FF1508C3
Intel
EP1C20F400C8N
Intel