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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB75LP120N
- Numéro de pièce MFG
- VS-GB75LP120N
- quantité disponible
- 19290 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Brève description
- - IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - IGBT - Modules
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- VS-GB75LP120N.pdf
VS-GB75LP120N Caractéristiques
| Référence fabricant | VS-GB75LP120N |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-VS-GB75LP120N |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| VS-GB75LP120N Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type IGBT | - |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 170A |
| Puissance - Max | 658W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.82V @ 15V, 75A (Typ) |
| Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 5.52nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / caisse | INT-A-PAK (3 + 4) |
| Package d'appareils du fournisseur | INT-A-PAK |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| VS-GB75LP120N Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | VS-GB75LP120N-FT |
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