maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MUBW50-12E8
Référence fabricant | MUBW50-12E8 |
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Numéro de pièce future | FT-MUBW50-12E8 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUBW50-12E8 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Configuration | Three Phase Inverter with Brake |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 90A |
Puissance - Max | 350W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 50A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 800µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 3.8nF @ 25V |
Contribution | Three Phase Bridge Rectifier |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | E3 |
Package d'appareils du fournisseur | E3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUBW50-12E8 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUBW50-12E8-FT |
IXGN100N160A
IXYS
IXGN100N170
IXYS
IXGN200N60
IXYS
IXGN200N60A
IXYS
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IXGN50N60BD2
IXYS
IXGN50N60BD3
IXYS
XCS10XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP4CGX50CF23C7N
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