maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / IXGN100N170
Référence fabricant | IXGN100N170 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXGN100N170 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXGN100N170 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | NPT |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 160A |
Puissance - Max | 735W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 50µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 9.22nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGN100N170 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXGN100N170-FT |
FZ900R12KF5NOSA1
Infineon Technologies
FZ900R12KP4HOSA1
Infineon Technologies
GB35XF120K
Vishay Semiconductor Diodes Division
HGT1N30N60A4D
ON Semiconductor
HGT1N40N60A4D
ON Semiconductor
HIGFEB1BOSA1
Infineon Technologies
HIGFED1BOSA1
Infineon Technologies
IFF300B12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
IFF450B12ME4S8PB11BPSA1
Infineon Technologies
IFF600B12ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
EX64-TQ64A
Microsemi Corporation
EPF8820ATC144-2N
Intel
LFE2-12SE-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40I3LN
Intel
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
XC7VX690T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7V585T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
M2GL060-1FGG676
Microsemi Corporation
5AGXFA5H4F35C5N
Intel