maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / IXGN100N170
Référence fabricant | IXGN100N170 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXGN100N170 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXGN100N170 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | NPT |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 160A |
Puissance - Max | 735W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 50µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 9.22nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGN100N170 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXGN100N170-FT |
FZ900R12KF5NOSA1
Infineon Technologies
FZ900R12KP4HOSA1
Infineon Technologies
GB35XF120K
Vishay Semiconductor Diodes Division
HGT1N30N60A4D
ON Semiconductor
HGT1N40N60A4D
ON Semiconductor
HIGFEB1BOSA1
Infineon Technologies
HIGFED1BOSA1
Infineon Technologies
IFF300B12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
IFF450B12ME4S8PB11BPSA1
Infineon Technologies
IFF600B12ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
XC3130A-3PQ100C
Xilinx Inc.
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-3FG676C
Xilinx Inc.
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
10M25DCF256C7G
Intel
10M50DAF256C6G
Intel
5SGSMD4E2H29I2LN
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
10AX057K2F35I1SG
Intel