maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / HIGFED1BOSA1
Référence fabricant | HIGFED1BOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HIGFED1BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HIGFED1BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Configuration | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | - |
Contribution | - |
Thermistance NTC | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HIGFED1BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HIGFED1BOSA1-FT |
FS50R06YL4BOMA1
Infineon Technologies
FS50R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS50R07N2E4BOSA1
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XC3S200-5FT256C
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
5SGXMA5K3F35C4N
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XC7VX1140T-G2FLG1930E
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FF1148C
Xilinx Inc.
LFXP15E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC3B7F23C8N
Intel
10AX057N4F40I3LG
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5AGXMA7G4F35C4N
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