maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / HIGFED1BOSA1
Référence fabricant | HIGFED1BOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HIGFED1BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HIGFED1BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Configuration | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | - |
Contribution | - |
Thermistance NTC | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HIGFED1BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HIGFED1BOSA1-FT |
FS50R06YL4BOMA1
Infineon Technologies
FS50R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS50R07N2E4BOSA1
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FS50R12W2T4BOMA1
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FS600R07A2E3B32BOSA1
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FS6R06VE3B2BOMA1
Infineon Technologies
XC4005E-3PQ100I
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XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
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10AX016C4U19E3LG
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10M50DAF484I6G
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EP4CE22F17C8
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LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel