maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FS50R12W2T4B11BOMA1
Référence fabricant | FS50R12W2T4B11BOMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FS50R12W2T4B11BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FS50R12W2T4B11BOMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 83A |
Puissance - Max | 335W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 50A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS50R12W2T4B11BOMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FS50R12W2T4B11BOMA1-FT |
FP50R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B15BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4PBPSA1
Infineon Technologies
FPF1C2P5MF07AM
ON Semiconductor
FS100R07N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS100R07N3E4BOSA1
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG484C
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C10F256I7N
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC7VX690T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C4L
Intel