maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FS50R07N2E4BOSA1
Référence fabricant | FS50R07N2E4BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-FS50R07N2E4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FS50R07N2E4BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Configuration | Full Bridge Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 70A |
Puissance - Max | 190W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 50A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 3.1nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS50R07N2E4BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FS50R07N2E4BOSA1-FT |
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