maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / HGT1N30N60A4D
Référence fabricant | HGT1N30N60A4D |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HGT1N30N60A4D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HGT1N30N60A4D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 96A |
Puissance - Max | 255W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 250µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | - |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGT1N30N60A4D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HGT1N30N60A4D-FT |
FS50R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FS50R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FS50R06YE3BOMA1
Infineon Technologies
FS50R06YL4BOMA1
Infineon Technologies
FS50R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FS50R07U1E4BPSA1
Infineon Technologies
FS50R12U1T4BPSA1
Infineon Technologies
FS50R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FS50R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FGG676I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
AT40K40-2DQC
Microchip Technology
EP20K300EFC672-2
Intel
5CEFA7F27C7N
Intel
10CL055ZF484I8G
Intel
EP3CLS70F484C8N
Intel
AX1000-2FG676I
Microsemi Corporation
A3P250-FGG144
Microsemi Corporation