maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MWI100-12A8T
Référence fabricant | MWI100-12A8T |
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Numéro de pièce future | FT-MWI100-12A8T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MWI100-12A8T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | NPT |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 160A |
Puissance - Max | 640W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 6.3mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | E3 |
Package d'appareils du fournisseur | E3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI100-12A8T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MWI100-12A8T-FT |
IXGN200N60A
IXYS
IXGN200N60A2
IXYS
IXGN40N60CD1
IXYS
IXGN50N120C3H1
IXYS
IXGN50N60B
IXYS
IXGN50N60BD2
IXYS
IXGN50N60BD3
IXYS
IXXN200N60B3H1
IXYS
IXXN200N60C3H1
IXYS
IXYN100N120B3H1
IXYS
XC3S200-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C10U256A7N
Intel
EP4SGX230KF40I4N
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EP3SL150F1152C3
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XC5VLX110T-2FF1136C
Xilinx Inc.
LFXP20C-4F256I
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LFXP6E-4F256I
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10CX220YF780I6G
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