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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100TP120U

Numéro de pièce MFG
VS-GB100TP120U
quantité disponible
84290 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
Brève description
- IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
VS-GB100TP120U.pdf
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VS-GB100TP120U Caractéristiques

Référence fabricant VS-GB100TP120U
Numéro de pièce future FT-VS-GB100TP120U
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
VS-GB100TP120U Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type IGBT -
Configuration Half Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150A
Puissance - Max 735W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 100A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 2mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse INT-A-Pak
Package d'appareils du fournisseur INT-A-PAK
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GB100TP120U Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange VS-GB100TP120U-FT

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