maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MUBW35-12E7
Référence fabricant | MUBW35-12E7 |
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Numéro de pièce future | FT-MUBW35-12E7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUBW35-12E7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | NPT |
Configuration | Three Phase Inverter with Brake |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 52A |
Puissance - Max | 225W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 35A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 400µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Contribution | Three Phase Bridge Rectifier |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | E2 |
Package d'appareils du fournisseur | E2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUBW35-12E7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUBW35-12E7-FT |
IXGE200N60B
IXYS
IXGN100N120
IXYS
IXGN100N160A
IXYS
IXGN100N170
IXYS
IXGN200N60
IXYS
IXGN200N60A
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IXYS
IXGN50N60B
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XC4005E-4PQ100C
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XC7A15T-3CSG325E
Xilinx Inc.
A3P600-2PQG208I
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M1A3P400-PQ208
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5SGXEABK2H40I3LN
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LFE2M50SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780I4L
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