maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / IXGE200N60B
Référence fabricant | IXGE200N60B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXGE200N60B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFAST™ |
IXGE200N60B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 160A |
Puissance - Max | 416W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 120A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 200µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ISOPLUS227™ |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS227™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGE200N60B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXGE200N60B-FT |
FZ800R33KL2CB5NOSA1
Infineon Technologies
FZ800R33KL2CNOSA1
Infineon Technologies
FZ800R45KL3B5NOSA2
Infineon Technologies
FZ900R12KF5NOSA1
Infineon Technologies
FZ900R12KP4HOSA1
Infineon Technologies
GB35XF120K
Vishay Semiconductor Diodes Division
HGT1N30N60A4D
ON Semiconductor
HGT1N40N60A4D
ON Semiconductor
HIGFEB1BOSA1
Infineon Technologies
HIGFED1BOSA1
Infineon Technologies
A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-5FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C9ES
Intel
5SEEBF45I2L
Intel
5SGXEA7K3F35C2L
Intel
EP1S40F1020C7
Intel