maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-43CTQ100PBF
Référence fabricant | VS-43CTQ100PBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-43CTQ100PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-43CTQ100PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 810mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-43CTQ100PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-43CTQ100PBF-FT |
V10150CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100RHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20M120CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30120CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30150CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30M120CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
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EP1S30F780C5N
Intel