maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-40CTQ150STRRPBF
Référence fabricant | VS-40CTQ150STRRPBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-40CTQ150STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-40CTQ150STRRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.16V @ 40A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-40CTQ150STRRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-40CTQ150STRRPBF-FT |
UGB18CCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18DCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18DCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8HCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8HCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8HCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8JCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8JCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel