maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / UGB18DCT-E3/81
Référence fabricant | UGB18DCT-E3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-UGB18DCT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UGB18DCT-E3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 18A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 9A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB18DCT-E3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UGB18DCT-E3/81-FT |
MBRB30H50CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H60CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H90CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H90CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB4045CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB4045CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB4045CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1020CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1020CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1020CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel