maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / UGB8JCTHE3/45
Référence fabricant | UGB8JCTHE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-UGB8JCTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UGB8JCTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.75V @ 4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB8JCTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UGB8JCTHE3/45-FT |
MURB1020CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1020CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1020CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1620CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1620CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1620CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB2020CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB2020CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB2020CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1030CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-4
Intel
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S100-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC2V500-4FG456I
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC256-1N
Intel
10M50DCF672C8G
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
EPF10K50VRC240-3N
Intel