maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / UGB8JCTHE3/45
Référence fabricant | UGB8JCTHE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-UGB8JCTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UGB8JCTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.75V @ 4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB8JCTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UGB8JCTHE3/45-FT |
MURB1020CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1020CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1020CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1620CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1620CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1620CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB2020CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB2020CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB2020CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1030CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K05-2BQI
Microchip Technology
LFEC6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
XC7A200T-1FBG484C
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XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
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LFX125EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
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