maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-32CTQ030STRRHM3
Référence fabricant | VS-32CTQ030STRRHM3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-32CTQ030STRRHM3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VS-32CTQ030STRRHM3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 490mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.75mA @ 30V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-32CTQ030STRRHM3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-32CTQ030STRRHM3-FT |
VS-HFA08TA60CSR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB120SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB120SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TA60CSL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TA60CSR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30TA60CSL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30TA60CSR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CTQ150S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CTQ150STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CTQ150STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K70T-3FBG676E
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XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
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5AGXMA5D4F27I3N
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5SGXMA7H3F35C4
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LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
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