maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-HFA16TA60CSR-M3
Référence fabricant | VS-HFA16TA60CSR-M3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-HFA16TA60CSR-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFRED® |
VS-HFA16TA60CSR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.1V @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 55ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA16TA60CSR-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-HFA16TA60CSR-M3-FT |
VB40150C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40170C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40M120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40M120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB60100C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB60100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB60120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT10200C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT10202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT10202C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
10CX105YF780I5G
Intel
10AX048K4F35E3SG
Intel
XC5VLX85T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XCV200-4BG256C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFG900CES9937
Xilinx Inc.
AGL400V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation