maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-10CTQ150STRR-M3
Référence fabricant | VS-10CTQ150STRR-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-10CTQ150STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-10CTQ150STRR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 930mV @ 5A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10CTQ150STRR-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-10CTQ150STRR-M3-FT |
VB60100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB60120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT10200C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT10202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT10202C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045CBP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
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LFE2-35SE-5FN672C
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LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
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