maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-30CTQ045STRLHM3
Référence fabricant | VS-30CTQ045STRLHM3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-30CTQ045STRLHM3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VS-30CTQ045STRLHM3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 620mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2mA @ 45V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTQ045STRLHM3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-30CTQ045STRLHM3-FT |
VS-16CTU04STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTU04STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
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5SGXEA7N3F40C4N
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XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
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