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Référence fabricant | VS-MURB1020CTR-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-MURB1020CTR-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED Pt® |
VS-MURB1020CTR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MURB1020CTR-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-MURB1020CTR-M3-FT |
VB30100C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30150C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30150C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30M120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30M120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-2TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A42MX16-VQ100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256C6
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
XC7VX415T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel