maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-30CTH02STRL-M3
Référence fabricant | VS-30CTH02STRL-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-30CTH02STRL-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED Pt® |
VS-30CTH02STRL-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTH02STRL-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-30CTH02STRL-M3-FT |
VB20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20202G-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20M120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20M120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel