maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VB30100C-M3/4W
Référence fabricant | VB30100C-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VB30100C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VB30100C-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30100C-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VB30100C-M3/4W-FT |
VB30100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTU04S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTH03S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TA60CS-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TA60CS-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT10200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel