maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VB30200C-E3/4W
Référence fabricant | VB30200C-E3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VB30200C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VB30200C-E3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 160µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30200C-E3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VB30200C-E3/4W-FT |
V10DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30D202CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30D60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DM150CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB9R2H43C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EPF10K200SRC240-1N
Intel