maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / V20DM150C-M3/I
Référence fabricant | V20DM150C-M3/I |
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Numéro de pièce future | FT-V20DM150C-M3/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eSMP®, TMBS® |
V20DM150C-M3/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.24V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AC (SMPD) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20DM150C-M3/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V20DM150C-M3/I-FT |
VS-40CTQ150-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40CTQ150PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40L15CT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40L15CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-42CTQ030-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-42CTQ030PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ080GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100-011PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel