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Référence fabricant | VS-20TQ040-N3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-20TQ040-N3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-20TQ040-N3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 570mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2.7mA @ 40V |
Capacité @ Vr, F | 1400pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20TQ040-N3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-20TQ040-N3-FT |
VS-15ETL06HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH06HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB60HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25TB60HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TQ035HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TQ040HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation