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Référence fabricant | VS-HFA25TB60HN3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-HFA25TB60HN3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFRED® |
VS-HFA25TB60HN3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 25A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA25TB60HN3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-HFA25TB60HN3-FT |
MBR7H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR7H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8ATHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8BTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8DTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8GTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel