maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / NS8DTHE3_A/P
Référence fabricant | NS8DTHE3_A/P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NS8DTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
NS8DTHE3_A/P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 8A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NS8DTHE3_A/P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NS8DTHE3_A/P-FT |
FES16CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES16CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES16FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES16HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES16JT-5410HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES16JT-9HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel